
Laufzeit: 01.05.2025-30.10.2032
Wir entwickeln Substrate aus Germanium oder Galliumarsenid, die mehrfach verwendet werden können. Hierzu fügen wir wenige hundert Nanometer unterhalb der Oberfläche eine dünne poröse Schicht als Sollbruchstelle ein. Während der Prozessierung der Zellen wird diese Schicht aufgetrennt und die Substrate werden erneut für das Wachstum weitere Zellen aufbereitet.
Wir entwickeln neue Maschinen für das kristalline Wachstum (Epitaxie) von III-V Verbindungshalbleitern, welche die aktiven Schichten unserer Tandemsolarzelle bilden. Dabei wollen wir den Durchsatz um eine Größenordnung steigern und die Kosten entsprechend senken.
Durch neue Herstellungsverfahren reduzieren wir Kosten und den Einsatz giftiger Chemikalien. Dabei bauen wir auf Erfolgen aus der Silicium Photovoltaik auf und nutzen modernste Anlagen zur Laserbearbeitung, Tintenstrahldruck und Galvanik.